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Micron G11 NAND: Über 400 Layer und doppelte Bitdichte 23.10.2026 10:08:54

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Micron überspringt beim Flash-Speicher eine ganze Generation: Auf G9 folgt direkt der Micron G11 NAND mit über 400 Layern und rund doppelter Bitdichte. Das Interface soll bis zu 50 Prozent schneller werden, die Serienfertigung startet im zweiten Halbjahr 2027. Eine G10-Generation wird es nicht geben. Micron G11 NAND: Was über die neue Generation... mehr auf basic-tutorials.de